توانمندی IGBT در روشن و خاموش شدن های پیدرپی و سریع، آن را برای استفاده در تقویتکنندههایی که الگوهای شکل موج پیچیده را به کمک مدولاسیون پالس فرآوری میکنند ، مناسب ساخته است. به نوعی میتوان گفت که IGBT ها خواص MOSFET ها و BJT ها را با هم ترکیب میکنند تا به قابلیت جریان بالا و ولتاژ اشباع پایین برسند. این قطعه یک ترمینال گیت ایزوله شده را به ساختار اولیهای بر مبنای FET اضافه میکند تا بتواند سیگنال ورودی را به خوبی کنترل کند.
میزان تقویت کنندگی یک IGBT از طریق محاسبه نسبت سیگنال خروجی به سیگنال ورودی بدست میآید.
به خاطر داریم که در BJTهای نسل قدیمی، میزان بهره یا همان β ، برابر با نسبت جریان خروجی به جریان ورودی است.
مقاومتی که IGBT در برابر فعال شدن از خود نشان میدهد (RON ) نسبت به ماسفت کمتر است. متعاقبا افت ولتاژ دو سر آن (I2R) نیز در زمان سوییچینگ بسیار کمتر خواهد بود.
عملکرد ناحیهی مسدود مستقیم (forward blocking) در IGBT ، مشابه عملکرد همین ناحیه در ماسفت است.
زمانی که در وضعیت استاتیکی مدار از IGBT به عنوان یک سوییچ کنترلی استفاده میشود، رنج ولتاژ و جریان آن مانند یک BJT معمولی خواهد بود. با این تفاوت که برخاف BJT ها، ترمینال گیت ایزولهی تعبیه شده در IGBT ، کنترل بارها را آسان تر ساخته و در نتیجه مدار به توان کمتری نیاز خواهد داشت.
خاموش یا روشن شدن IGBT بر مبنای فعال شدن یا نشدن ترمینال گیت آن است. چنانچه اختلاف پتانسیل ثابت مثبتی بین دو ترمینال گیت و امیتر اعمال شده باشد، IGBT در وضعیت ON خواهد بود و زمانی که سیگنال ورودی قطع شود، به وضعیت OFF خواهد رفت.
اصل عملکردی IGBT
IGBT برای حفظ هدایت جریان در قطعه، برخلاف BJT تنها به مقدار اندکی ولتاژ نیاز دارد. هم چنینIGBT یک قطعهی یکطرفه است؛ یعنی جریان را تنها از یک سمت عبور میدهد ، و به همین علت تنها در جهت مستقیم خود قابل روشن شدن است. پس جریان نیز در جهت کلکتور به امیتر جاری خواهد شد، بر عکس ماسفت ها که قطعاتی دو طرفه هستند.